[发明专利]稳定的可浓缩的硅晶片抛光组合物及相关方法有效
| 申请号： | 201410141252.6 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104099026A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | N·K·奔达;L·M·库克 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B29/00;B24D13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆蔚 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的硅晶片抛光组合物，其含有：水；磨料；如通式（I）所示的阳离子；如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物；任选的pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。还提供制备和使用该稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 浓缩 晶片 抛光 组合 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其含有：水；磨料；如通式（I）所示的阳离子：![]()
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1‑10烷基、C1‑10芳基、C1‑10芳基烷基和C1‑10烷基芳基；以及如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物![]()
其中R5选自下组：氢、C1‑10烷基、C1‑10芳基、C1‑10芳基烷基和C1‑10烷基芳基；以及任选地，pH调节剂;其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。
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