[发明专利]掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410123117.9 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103887430B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱小芹;胡益丰;薛建忠;吴卫华;眭永兴;郑龙;袁丽;江向荣 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1‑x，其中0.29≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 改性 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺氮改性的相变薄膜材料，其特征在于：由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1‑x，其中0.29≤x≤0.49。
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