[发明专利]相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201410115086.2 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103871463B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林;王倩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位线，至少两根所述块位线分别连接一第二选通门，至少两个第二选通门连接至同一本地位线，至少两个所述本地位线通过一所述第一选通门连接至所述全局位线。所述相变存储器阵列堆叠结构通过全局位线将所有块位线统一连接在一起，全局位线的最大负载仅由存储块中的块位线长度决定，从而极大的减少了寄生电容的产生，从而避免了大容量的相变存储器中会产生的较大的信号延时和较大的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 阵列 堆叠 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器阵列堆叠结构，其特征在于，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括：若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一根块位线，所述块位线分别连接一个第二选通门，至少两个第二选通门连接至同一根本地位线，至少两根所述本地位线通过一个所述第一选通门连接至所述全局位线；所述相变存储器阵列堆叠结构包括至少两列相变存储块，每列相变存储块中的每块相变存储块对应连接的本地位线共同连接至同一第一选通门。
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