[发明专利]一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方法

摘要

一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方法，属于半导体光电子技术领域。本发明采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法，提出干-湿-干刻蚀工艺：先用ICP（干法）刻蚀到本征层，然后利用高选择性腐蚀液对本征层进行腐蚀（湿法），最后再用ICP刻蚀重掺杂层（干法）。本方法结合了干法刻蚀界面陡直和湿法腐蚀停止的特点；减少了ICP的使用，避免了大量副产物的堆积，减薄了掩膜用SiO₂层厚度，得到了陡直平整干净的界面效果，对具有不同的宽深比沟槽的大面积阵列器件一次工艺实现大面积均匀刻蚀，降低了工艺难度，提高器件成品率。

主权项

一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方法，其特征在于，采用干‑湿‑干刻蚀工艺步骤，其特征在于，包括以下步骤：（1）、先采用ICP干法刻蚀技术去除材料中需要去除的P型InGaAs接触层（6）、需要去除的P型InP层（5）和需要去除的本征InGaAs层（4）的部分厚度，并使得需要去除的本征InGaAs层（4）保留部分厚度；（2）、然后采用对InP材料高选择比的腐蚀液对保留部分厚度的本征InGaAs层（4）进行湿法腐蚀，从而对刻蚀界面进行修整，修整停在本征InGaAs层（4）和N型InP层（3）的界面，消除由于干法刻蚀在刻蚀不同宽深比沟槽时造成的刻蚀深度的差异，最后再用ICP干法刻蚀N型InP层（3）到需要的位置；（3）、然后在保留的P型InGaAs接触层（6）上制备P金属电极，在N型InP层（3）上制备N金属电极。