[发明专利]一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法在审
| 申请号： | 201410110159.9 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103904173A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周晓龙;白欣娇;王波;潘鹏;王爱民 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，属于半导体器件处理方法。本发明与现有外延片生长方法的最大区别在于，在生长多量子阱发光层时，减薄势垒层的厚度。主要采用三种处理方式中的一项或一项以上结合使用实现：1）减少势垒层的生长时间；2）在生长势垒层时降低Ⅲ族源的流量；3）在生长势垒层时加大Ⅴ族源的流量。本发明可降低在此外延片上制作的LED芯片的正向工作电压，降低能耗和光衰、延长其寿命，并改善其I-V特性，提高内量子效率；同时还可节省部分原材料，降低生成成本，对产业化起到很好的参考价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 芯片 正向 工作 电压 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于包括如下步骤：外延衬底预烘烤、GaN缓冲层生长、U型GaN层生长、N型GaN层生长、多量子阱发光层优化生长、P型GaN层生长；所述多量子阱发光层优化生长包括减薄势垒层厚度的操作，该操作通过如下方式中的一项或一项以上结合使用实现：1）减少势垒层的生长时间；2）在生长势垒层时降低Ⅲ族源的流量；3）在生长势垒层时加大Ⅴ族源的流量。
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