[发明专利]用于检测P型源漏离子注入导致位错缺陷的方法无效
| 申请号： | 201410109613.9 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887201A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;刘飞钰;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于检测P型源漏离子注入导致位错缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。提供用于前段工艺制程和中段工艺制程的掩膜板；将一测试硅片依次按照所述前段工艺制程和中段工艺制程进行流片；当所述中段工艺制程进行至平坦化研磨工艺完成后，形成一测试结构；将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置；采用所述电子束检测仪对所述测试结构的P型源漏离子注入区域进行位错缺陷检测，判断所述测试结构是否有漏电现象，若是则所述测试结构存在位错缺陷；若否则所述测试结构不存在位错缺陷。本发明为P型源漏离子注入工艺优化以及新产品研发和在线产品监测提供技术支持及方法论，为缩短产品研发周期提高良率提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 型源漏 离子 注入 导致 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
用于检测P型源漏离子注入导致位错缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.提供用于前段工艺制程和中段工艺制程的掩膜板；步骤2.将一测试硅片依次按照所述前段工艺制程和中段工艺制程进行流片；步骤3.当所述中段工艺制程进行至平坦化研磨工艺完成后，形成一测试结构；步骤4.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置；步骤5.采用所述电子束检测仪对所述测试结构的P型源漏离子注入区域进行位错缺陷检测，判断所述测试结构是否有漏电现象，若是则所述测试结构存在位错缺陷；若否则所述测试结构不存在位错缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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