[发明专利]集成电路装置有效

专利信息
申请号: 201410102836.2 申请日: 2014-03-19
公开(公告)号: CN104600060B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 林柏均 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/532
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 代理人: 王正茂,丛芳
地址: 中国台湾桃园县龟山*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种集成电路装置,其包含基板、至少一个晶体管、至少一个金属层、导电柱与连接结构。基板具有至少一个贯穿孔贯穿其中。晶体管至少部分设置在基板中。金属层设置在基板上。导电柱设置在贯穿孔中。连接结构至少部分设置在贯穿孔中,且连接导电柱与金属层。连接结构至少具有第一部分。第一部分的材质为应力消除材料。应力消除材料的热膨胀系数小于导电柱的热膨胀系数,且晶体管在贯穿孔的正投影与连接结构部分重叠。本发明提供的集成电路装置可减缓应力对晶体管的通道中的载子流动率的影响,从而能够缩小环绕于连接结构的排除区域,使集成电路装置具有更大的电路布线空间。
搜索关键词: 集成电路 装置
【主权项】:
一种集成电路装置,其特征在于,该集成电路装置包含:基板,其具有至少一个贯穿孔贯穿其中;至少一个晶体管,其至少部分设置在所述基板中;至少一个金属层,其设置在所述基板上;导电柱,其设置在所述贯穿孔中;以及连接结构,其至少部分设置在所述贯穿孔中,且连接所述导电柱与所述金属层,其中所述连接结构的整体的材质为应力消除材料,所述应力消除材料的热膨胀系数小于所述导电柱的热膨胀系数,所述晶体管在所述贯穿孔的正投影与所述连接结构部分重叠,且所述连接结构包含:第一部分,所述第一部分的材质为氧化物;以及第二部分,所述第二部分连接所述导电柱与所述金属层,所述第二部分的材质为导电材料,且所述第二部分的热膨胀系数小于所述导电柱的所述热膨胀系数。
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