[发明专利]晶片到晶片的熔接结合卡盘

摘要

本申请涉及晶片到晶片的熔接结合卡盘。晶片结合卡盘的卡盘面，包括扁平的中央区和与中央区邻接的外部环形区，所述外部环形区比扁平的中央区低，使得安装到所述卡盘面的晶片的环形边缘部分相对于所述结合卡盘的卡盘面具有凸起的轮廓。所述外部环形区可以沿着与所述中央区垂直的轴移动。卡盘面可以包括多个邻接的区，这些区中至少一个相对于这些区中另一个可移动。

主权项

一种晶片到晶片的结合卡盘装置，所述结合卡盘装置包括：第一卡盘；以及第二卡盘；其中，所述第一卡盘和所述第二卡盘各自包括：扁平的中央区；以及与扁平的中央区邻接的外部环形区，所述外部环形区比扁平的中央区低并且从所述扁平的中央区倾斜，使得安装到卡盘的晶片的环形边缘部分相对于所述卡盘的卡盘面具有凸起的轮廓；其中，安装在第一卡盘上的第一晶片与安装在第二卡盘上的第二晶片在对准之后通过卡盘的移动而形成范德华结合，并在永久性退火结合之前使形成范德华结合的晶片经受热压结合工艺；其中，热压结合工艺包括：加热所述第一晶片和所述第二晶片到足以至少启动所述第一晶片和所述第二晶片的氧化物表面上硅烷醇基团的初始缩合的温度；对室大气施加真空以减少室大气压力；以及利用所述第一卡盘和所述第二卡盘，向所述第一晶片和所述第二晶片施加压缩力；由此从所述第一晶片和所述第二晶片之间的结合表面除去空气、污染物及硅烷醇缩合反应副产品分子并且去除所述第一晶片和所述第二晶片之间的边缘间隙。