[发明专利]金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201410093103.7 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103887705A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 隋少帅;唐明英;杨跃德;肖金龙;杜云;黄永箴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；清洗；将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片；在键合片上表面生长一SiO2层，在SiO2层表面光刻出激光器图形，刻蚀掉图形外的SiO2层；在制作完成后的III/V激光器外延片的表面生长一层隔离层，并且在激光器谐振腔隔离层表面生长一金属覆盖层；在底部接触层上制作出图形化的N型电极，使之包围在激光器谐振腔的周围；在底部接触层的部分表面及III/V激光器谐振腔的表面蒸发一P型接触电极Ti/Pt/Au，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 完全 限制 混合 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；步骤2：在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；步骤3：清洗III/V激光器外延片和SOI片；步骤4：将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片，固化，并去除p型InP衬底；步骤5：在键合片上表面生长一SiO2层，在SiO2层表面光刻出激光器图形，该激光器图形与SOI片上的条形波导结构对准，刻蚀掉图形外的SiO2层，刻蚀出III/V激光器谐振腔的结构，保留III/V激光器外延片下部的部分作为底部接触层；步骤6：在制作完成后的III/V激光器外延片的表面生长一层隔离层，并且在激光器谐振腔隔离层表面生长一金属覆盖层，使之金属覆盖层完全包裹住激光器谐振腔；步骤7：在底部接触层上制作出图形化的N型电极，使之包围在激光器谐振腔的周围；步骤8：在底部接触层的部分表面及III/V激光器谐振腔的表面蒸发一P型接触电极Ti/Pt/Au，完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410093103.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
