[发明专利]晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法

摘要

本发明提供一种晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法，该方法包括：S1，距离传感器自片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号；S2，控制单元接收来自托盘或位于片槽中晶片反射的反射信号，并根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若等于，则进入S3；若不等于，则进入S5；S3，控制单元驱动距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则进入S4；若不等于，进入S5；S4，确定片槽中的晶片放置准确；S5，确定片槽中的晶片未放置准确。本发明提供晶片检测方法，可提高工艺的均匀性和晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率。

主权项

1.一种晶片检测系统，包括托盘，所述托盘的上表面上设置有用于承载所述晶片的片槽，且所述托盘的反射率与所述晶片的反射率不同，其特征在于，所述系统还包括：距离传感器和控制单元，其中：所述距离传感器设置在所述片槽的正上方，且能够在所述片槽的正上方水平移动；所述距离传感器对应待检测的片槽位置在移动过程中向所述托盘发送信号，并接收来自所述托盘或位于所述片槽中的晶片反射的反射信号，且将所述反射信号发送至所述控制单元；所述控制单元根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；若等于，则驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与所述标准距离是否相等，若等于，则确定所述片槽中的所述晶片放置准确；若不等于，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；所述标准距离定义为所述晶片准确放置在所述片槽时所述距离传感器与所述晶片上表面之间的垂直距离。