[发明专利]结合实体坐标的位失效侦测方法有效
| 申请号： | 201410084502.7 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104916559B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 骆统;陈琪旻;杨令武;杨大弘;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结合实体坐标的位失效侦测方法，在此方法中先取得一晶圆对位检测数据，其包括一晶圆内每一层的缺陷的影像和此缺陷的实体坐标；然后，进行一位失效侦测步骤，以得到晶圆内失效位的数字坐标，并转换此数字坐标为实体位置，且将实体位置重叠于实体坐标，以便快速得到失效位与缺陷之间的关联性。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 实体 标的 失效 侦测 方法 | ||
【主权项】：
一种结合实体坐标的位失效侦测方法，包括：取得一晶圆对位检测数据，所述晶圆对位检测数据包括一晶圆内每一层的多个缺陷的影像和所述缺陷于所述晶圆内的多个实体坐标；进行一位失效侦测步骤，以得到所述晶圆内多个失效位的一数字坐标；转换所述数字坐标为线或多边形的多个实体位置；以及将所述实体位置重叠于所述晶圆内的所述实体坐标，以得到所述失效位与所述缺陷之间的关联性。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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