[发明专利]一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法有效
申请号: | 201410074966.X | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN103824856B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 亢勇;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 上海新储集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/552;H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201500 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法,首先输入边界扫描测试信号,检测输出信号,检测到的输出信号与理想输出信号比较,如果二者近似程度满足要求,则停止测试,如果二者相差较大,通过内建自优化器改变芯片内各个块的背栅偏置,调节各个块内晶体管的阈值电压,通过调解后再检测输出信号,这样一直重复,直至测试输出信号与理想输出信号最大程度接近。通过边界扫描测试检测,内建自优化器调节背栅偏置可有效抑制晶体管的阈值电压偏移,从而改善晶体管的性能,达到抗辐照的功能,且本发明的抗辐照技术具有集成度高,速度快,抗辐照能力强等特点,并且成本低,工艺简单,易于实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 晶体管 辐照 技术 实现 方法 | ||
【主权项】:
一种抗辐照器件结构,其特征在于,所述抗辐照器件结构包括一半导体衬底,且于该半导体衬底上还设置有一核心逻辑模块;所述核心逻辑模块包括若干偏置器件单元和一内建自优化器;每个所述偏置器件单元中均包括一背栅偏置和至少一晶体管,且每个所述偏置器件单元中的所有所述晶体管均设置在所述背栅偏置上;其中,所述内建自优化器分别与每个所述背栅偏置电连接,以通过所述背栅偏置调整设置在该背栅偏置上的晶体管的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的