[发明专利]嵌入逻辑式闪存器件及其侧墙形成方法

摘要

本发明提供了一种嵌入逻辑式闪存器件及其侧墙形成方法，该方法包括提供半导体衬底；刻蚀闪存栅堆叠层以形成闪存栅极，并在闪存栅极周围形成闪存栅偏移侧墙；刻蚀逻辑栅堆叠层以形成逻辑栅极，并在逻辑栅极周围和闪存栅偏移侧墙周围形成逻辑栅偏移侧墙；形成覆盖所述逻辑区域和闪存区域的介质叠层，该介质叠层包括内层介质层、位于该内层介质层上的中层介质层以及位于该中层介质层上的外层介质层；刻蚀介质叠层，以在所述逻辑区域内的逻辑栅偏移侧墙周围形成逻辑栅侧墙，以及在所述闪存区域内的逻辑栅偏移侧墙周围形成闪存栅侧墙。本发明能够将逻辑器件和闪存器件的侧墙形成工艺集成在一起，并且可以满足逻辑器件和闪存器件的性能要求。

主权项

一种嵌入逻辑式闪存器件的侧墙形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括逻辑区域和闪存区域，该逻辑区域上形成有逻辑栅堆叠层，该闪存区域上形成有闪存栅堆叠层；刻蚀所述闪存栅堆叠层以形成闪存栅极，并在所述闪存栅极周围形成闪存栅偏移侧墙；刻蚀所述逻辑栅堆叠层以形成逻辑栅极，并在所述逻辑栅极周围和闪存栅偏移侧墙周围形成逻辑栅偏移侧墙；形成覆盖所述逻辑区域和闪存区域的介质叠层，该介质叠层包括内层介质层、位于该内层介质层上的中层介质层以及位于该中层介质层上的外层介质层，其中，该中层介质层和内层介质层的材料不同，该外层介质层和中层介质层的材料不同；刻蚀所述介质叠层，以在所述逻辑区域内的逻辑栅偏移侧墙周围形成逻辑栅侧墙，以及在所述闪存区域内的逻辑栅偏移侧墙周围形成闪存栅侧墙，其中，该逻辑栅侧墙包括残留的内层介质层和中层介质层，该闪存栅侧墙包括残留的内层介质层、中层介质层和外层介质层。