[发明专利]ESD防护结构及方法在审
申请号: | 201410067807.7 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN103811488A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 蔡学明 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201506 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及显示器件的结构及其制备领域,尤其涉及一种ESD防护结构及方法,通过在器件制备工艺时,在器件区域制备具有导电性质的结构层的同时,于空旷区制备静电放电结构,将残存于器件区的载流子进行放电,并循环往复,以在每个具有导电性质的结构层的制备工艺时,均会对器件区域中残存的载流子进行一次放电,进而使得器件区域中的载流子不会大量聚集,避免形成过大的瞬间电流,进而有效的降低器件结构中静电击伤现象的发生的几率,提高了产品的性能和良率。 | ||
搜索关键词: | esd 防护 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种ESD防护结构,所述防护结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有器件区和空旷区;静电释放结构,所述静电释放结构设置于所述半导体衬底的空旷区;导电层,所述导电层设置于所述半导体衬底的器件区;其中,所述导电层与所述静电释放结构连接,以将残存于所述空旷区的载流子通过所述静电释放结构进行放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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