[发明专利]芯片发光面积利用率高的交流高压的发光芯片在审
| 申请号： | 201410067629.8 | 申请日： | 2014-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103985705A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 彭晖 | 申请（专利权）人： | 张涛;彭晖 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L25/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供发光芯片，包括：绝缘衬底、至少一个单元芯片组、焊盘；单元芯片组包括第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片、至少一个公共发光单元芯片；公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极；焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；第一发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第一组电极、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；第四发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第二组电极、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；第一串和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一和第二焊盘形成电连接，使得公共发光单元芯片在交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 发光 面积 利用率 交流 高压 | ||
【主权项】：
一种发光芯片，包括：绝缘衬底；一个单元芯片组；一对焊盘；所述单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；一个公共发光单元芯片；所述公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极；所述一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；所述第一发光整流单元芯片、所述第二发光整流单元芯片、所述第三发光整流单元芯片、所述第四发光整流单元芯片和所述公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开；所述第一发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第一组电极、所述第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；所述第四发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第二组电极、所述第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；其中，所述第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与所述第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得所述发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得所述公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。
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