[发明专利]使用心轴氧化工艺形成鳍式场效应晶体管半导体设备的鳍部的方法

摘要

一种使用心轴氧化工艺形成鳍式场效应晶体管半导体设备的鳍部的方法，揭示于本文的一个示意方法包括：形成心轴结构于半导体衬底上面，进行氧化工艺以氧化该心轴结构的至少一部份以便从而在该心轴结构上定义氧化区，移除该等氧化区以便从而定义厚度减少的心轴结构，在该厚度减少的心轴结构上形成多个鳍部以及进行蚀刻工艺以选择性地移除该厚度减少的心轴结构的至少一部份，以便从而暴露该等鳍部中的每一者的至少一部份。

主权项

一种形成设备的方法，包含：形成具有侧壁的心轴结构；进行氧化工艺，以氧化该心轴结构的至少一部份，从而在该心轴结构的该侧壁上定义氧化区；移除该氧化区，从而定义厚度减少的心轴结构；形成多个鳍部于该厚度减少的心轴结构上；以及进行蚀刻工艺，以选择性地移除该厚度减少的心轴结构的至少一部份，以便从而暴露该鳍部中的每一者的至少一部份。