[发明专利]一种集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，包括串联的晶体管以及位于串联的晶体管的栅极之间的密闭腔体，可以实现晶体管的漏极与栅极的低介电绝缘，从而降低漏极与栅极间的耦合电容，提高集成电路的性能。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，制备的集成电路同样具有上述优点。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的至少两个依次串连、共享源漏极的晶体管，还包括设置于相邻的两个所述晶体管的共享源漏极上方、栅极之间的密闭腔体；其中，位于首端的晶体管的源极与源极引入互连件接触相连，位于尾端的晶体管的漏极与漏极引出互连件接触相连，所述密闭腔体的顶部由位于所述半导体衬底上的覆盖绝缘层所覆盖，所述覆盖绝缘层内具有位于所述密闭腔体上方的释放通孔，所述释放通孔通过密封塞密封。