[发明专利]激光烧蚀法制备粒径2 nm的3C-SiC纳米颗粒

摘要

本发明公开了一种激光烧蚀法制备粒径2nm的3C-SiC纳米颗粒：将6H-SiC多晶陶瓷片依次在去离子水，无水乙醇，丙酮中超声清洗5-10分钟，用电吹风或氮气流吹干。再次置于去离子水超声3-5分钟后，清洗残留有机物。然后将清洗好6H-SiC多晶陶瓷片放在烧杯中，加入去离子水，水面高出6H-SiC多晶陶瓷片的上表面4-5mm。烧杯放在三维可控平台上，可使之在水平方向上来回缓慢移动。用波长248nm的准分子脉冲激光为激光光源，强度为300-350mJ/Pulse，激光经反射和聚焦后照射到浸于去离子水中的多晶陶瓷片上，照射时间为45-60分钟。最后得到悬浮于去离子水中的3C-SiC纳米颗粒。本发明制备的3C-SiC纳米颗粒直径为2nm左右，无团聚现象，样品在波长为415-495nm的紫-蓝-蓝绿光范围内具有较强的光发射。

主权项

一种激光烧蚀法制备粒径2 nm的3C‑SiC纳米颗粒，其特征是，包括以下步骤：（1）清洗六方相碳化硅(6H‑SiC)多晶陶瓷片：将6H‑SiC多晶陶瓷片依次在去离子水、无水乙醇、丙酮中分别超声清洗5‑10分钟，超声处理后的6H‑SiC多晶陶瓷片用电吹风或氮气流吹干；吹干后的6H‑SiC多晶陶瓷片再次置于去离子水超声3‑5分钟，清洗残留有机物；（2）将步骤（1）清洗好6H‑SiC多晶陶瓷片放在烧杯中，加入去离子水，水面高出6H‑SiC多晶陶瓷片的上表面4‑5 mm，烧杯放在X、Y、Z三轴方向单独可控的移动平台上；用波长248 nm的准分子脉冲激光为激光光源，激光强度为300‑350 mJ/Pulse，激光经反射和聚焦后照射到浸于去离子水中的6H‑SiC多晶陶瓷片上，照射时间为45‑60分钟，在整个照射过程中，三维可控移动平台载着烧杯缓慢移动，移动范围保证激光束始终能照射到6H‑SiC多晶陶瓷片上，移动平台使得烧杯在X、Y方向上实现来回缓慢运动，避免激光打在同一点上损坏6H‑SiC多晶陶瓷片，移动平台Z轴方向微调焦距，调整到达6H‑SiC多晶陶瓷片上的激光光斑大小；取走烧杯中的6H‑SiC多晶陶瓷片，烧杯中得到悬浮于去离子水中的3C‑SiC纳米颗粒。