[发明专利]一种双栅极光电薄膜晶体管、像素电路及像素阵列有效
申请号: | 201410030072.0 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN103762251A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 王凯;陈军;欧海 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L27/146 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 华辉 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种可以用于间接探测型数字X-射线探测仪器的双栅极光电薄膜晶体管。在用于间接X射线探测的像素单元中,光电探测元件与信号读取的薄膜晶体管集成在一个双栅极光电薄膜晶体管中。双栅极光电薄膜晶体管既可实现了薄膜晶体管的开关和信号放大性能,也可以实现光电晶体管的感应功能和信号电荷的储存功能。这种方案具有高信噪比、高分辨率、制作工艺简单、集成度高的优点,可以充分利用像素面积,从而可以实现高灵敏度的探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 栅极 光电 薄膜晶体管 像素 电路 阵列 | ||
【主权项】:
一种双栅极光电薄膜晶体管,其特征在于包括:基板;暗栅极,设置在该基板上;该暗栅极由金属或金属合金制作;第一介电层,设置在该基板上并覆盖住该暗栅极;源极与漏极,设置在该第一介电层上并对应地与该第一介电层的两端相接触;沟道层,设置在该第一介电层上并覆盖该源极与该漏极;第二介电层,设置在该沟道层上;光栅极,设置于该第二介电层上;其中,该光栅极由导电的透明电极材料制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410030072.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池封装结构
- 下一篇:一种改性水解胶原蛋白固体施胶剂及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的