[发明专利]一种双栅极光电薄膜晶体管、像素电路及像素阵列有效

专利信息
申请号: 201410030072.0 申请日: 2014-01-22
公开(公告)号: CN103762251A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 王凯;陈军;欧海 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L27/146
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 华辉
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种可以用于间接探测型数字X-射线探测仪器的双栅极光电薄膜晶体管。在用于间接X射线探测的像素单元中,光电探测元件与信号读取的薄膜晶体管集成在一个双栅极光电薄膜晶体管中。双栅极光电薄膜晶体管既可实现了薄膜晶体管的开关和信号放大性能,也可以实现光电晶体管的感应功能和信号电荷的储存功能。这种方案具有高信噪比、高分辨率、制作工艺简单、集成度高的优点,可以充分利用像素面积,从而可以实现高灵敏度的探测。
搜索关键词: 一种 栅极 光电 薄膜晶体管 像素 电路 阵列
【主权项】:
一种双栅极光电薄膜晶体管,其特征在于包括:基板;暗栅极,设置在该基板上;该暗栅极由金属或金属合金制作;第一介电层,设置在该基板上并覆盖住该暗栅极;源极与漏极,设置在该第一介电层上并对应地与该第一介电层的两端相接触;沟道层,设置在该第一介电层上并覆盖该源极与该漏极;第二介电层,设置在该沟道层上;光栅极,设置于该第二介电层上;其中,该光栅极由导电的透明电极材料制作。
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