[发明专利]一种用离子预辐照提高低活化材料抗辐照性能的方法有效
| 申请号： | 201410023732.2 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103789530A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘平平;詹倩;万发荣;赵明忠 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C21D10/00 | 分类号： | C21D10/00;C22C38/26 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种利用离子预辐照通过产生纳米析出物从而提高材料的抗辐照性能的新方法，该方法对低活化铁素体/马氏体钢或者低活化模型合金进行适当的预辐照，在材料中形成一种纳米相，这种纳米析出相在随后的辐照中能保持尺寸和结构的稳定性，为材料提供更多的点缺陷阱，从而提高低活化材料的抗辐照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 辐照 提高 活化 材料 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种用离子预辐照提高低活化材料抗辐照性能的方法，其特征在于，用离子对低活化材料进行预辐照，通过获得稳定的纳米级析出物，来提高材料的抗辐照性能，具体操作步骤如下：1）将低活化材料进行机械减薄、抛光并用丙酮清洗干净；2）把步骤1得到的样品装入离子加速器，并将所述离子加速器的真空抽至 1×10‑4‑1×10‑6 Pa；3）注入H离子或D离子，能量为58‑100 keV，剂量为1‑1.6×1017 ions/cm2，温度设定为500 ℃，辐照时间为6‑24小时；4）预辐照完成后，样品材料中便产生大量纳米级析出物，所述析出物的尺寸分布在30‑200 纳米之间，该析出物在随后的辐照中保持尺寸和结构的稳定性，为样品材料提供更多的点缺陷阱，从而提高低活化材料的抗辐照性能。
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