[发明专利]一种高纯度四氯化硅提纯方法无效

专利信息
申请号: 201410011907.8 申请日: 2014-01-12
公开(公告)号: CN103738966A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 殷万朋;许超;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 北京国辰华星科技有限责任公司
主分类号: C01B33/08 分类号: C01B33/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100070 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种光纤、光伏、半导体及其他科研领域用的高纯度四氯化硅的提纯技术,具体步骤如下:步骤1、以工业级四氯化硅为原料进料,经第一个精馏塔加压精馏,塔顶采出的低沸物进入低沸物储罐;步骤2、将步骤1得到的塔釜采出物经第二个精馏塔加压精馏,塔釜采出的高沸物,进入高沸物储罐;步骤3、将步骤2得到的塔顶采出物经第三个精馏塔加压精馏,塔釜采出物,回到第二个精馏塔,循环提纯;步骤4、将步骤3得到的塔顶采出物经第四个精馏塔加压精馏,塔顶采出物进入高沸物储罐;步骤5、将步骤4得到的塔釜采出物经第五个精馏塔加压精馏,塔釜采出物进入高沸物储罐,塔顶采出物即为质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅产品。
搜索关键词: 一种 纯度 氯化 提纯 方法
【主权项】:
一种高纯度四氯化硅提纯方法,用以制取质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅,其特征在于:为提高精馏塔工作效率,以及考虑到安全生产的问题,精馏塔选用板式塔和填料塔相结合的方法,以及采取加低压精馏等措施。
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