[发明专利]一种酸槽背面硅腐蚀方法

摘要

本发明提供一种酸槽背面硅腐蚀方法，涉及半导体制造领域。其中酸槽背面硅腐蚀方法包括将减薄后的硅片放入通入兆声波的去离子水中；将经过所述通入兆声波的去离子水的硅片放入酸槽进行腐蚀；将所述经过腐蚀的硅片放入冲水槽中进行冲水清洗，完成硅腐蚀。通过改善工艺流程、改造片架结构，增加氮气鼓泡及改进冲水方式的方法，使简易酸槽背面硅腐蚀满足品质要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表观缺陷的可能性，提高生产的经济效益。

主权项

一种酸槽背面硅腐蚀方法，其特征在于，包括：将减薄后的硅片放入通入兆声波的去离子水中；将经过所述通入兆声波的去离子水的硅片放入酸槽进行腐蚀；将所述经过腐蚀的硅片放入冲水槽中进行冲水清洗，完成硅腐蚀；其中，将经过所述通入兆声波的去离子水的硅片放入酸槽进行腐蚀的具体步骤包括：将经过所述通入兆声波的去离子水清洗的硅片放在所述酸槽内的片架上；在所述酸槽内加入腐蚀所述硅片的溶液，进行腐蚀；其中，所述片架内包括一个或多个槽位，所述槽位包括所述片架的内夹层，所述片架的内夹层与所述硅片接触，用于卡住所述硅片；并减小所述片架的内夹层面积使其刚好能够卡住所述硅片，使硅片与酸液的接触最大化。