[发明专利]光罩护膜框及其制造方法有效
| 申请号： | 201380080439.3 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105659163B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 山口隆幸;田口喜弘 | 申请（专利权）人： | 日本轻金属株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨;董庆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在能够防止雾产生的同时、聚光灯下的表面闪烁缺陷得到减少的光罩护膜框及其制造方法。本发明为光罩护膜框以及光罩护膜框的制造方法，其中光罩护膜框是由铝或铝合金形成的铝框材的表面上具有阳极氧化皮膜的光罩护膜框，阳极氧化皮膜包括使用碱性阳极氧化浴形成的皮膜和使用酸性阳极氧化浴形成的皮膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光罩护膜框 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光罩护膜框，它是由铝或铝合金形成的铝框材的表面上具有阳极氧化皮膜的光罩护膜框，其特征在于，所述阳极氧化皮膜包括使用碱性阳极氧化浴形成的皮膜和使用酸性阳极氧化浴形成的皮膜，所述阳极氧化皮膜实质上不含有最大长度为5μm以上的金属间化合物，并且/n在测定于80℃的纯水中浸渍4小时而溶出的离子浓度的离子溶出试验中，所述光罩护膜框每100cm
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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