[发明专利]透明导电膜在审
| 申请号： | 201380069624.2 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104903975A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种结晶性优异、可实现较小的表面电阻值的透明导电膜。透明导电膜(1)具有形成在薄膜基体材料(2)的两个表面上的透明导体层(3、4)。透明导体层(3)是从薄膜基体材料(2)的表面(2a)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(5)、铟锡氧化物层(6)和铟锡氧化物层(7)而构成。透明导体层(4)是从薄膜基体材料(2)的表面(2b)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(8)、铟锡氧化物层(9)和铟锡氧化物层(10)而构成。铟锡氧化物层(6)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(5)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(7)的氧化锡含量都高。铟锡氧化物层(9)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(8)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(10)的氧化锡含量都高。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种透明导电膜，包含：具有第1表面和第2表面的薄膜基体材料，形成在该薄膜基体材料的第1表面侧的第1透明导体层，和形成在所述薄膜基体材料的第2表面侧的第2透明导体层，其特征在于：所述第1透明导体层是从所述薄膜基体材料的第1表面侧起依次层叠有第1铟锡氧化物层、第2铟锡氧化物层和第3铟锡氧化物层而构成，所述第2透明导体层是从所述薄膜基体材料的第2表面侧起依次层叠有第4铟锡氧化物层、第5铟锡氧化物层和第6铟锡氧化物层而构成，所述第2铟锡氧化物层的氧化锡含量比第1铟锡氧化物层的氧化锡含量和第3铟锡氧化物层的氧化锡含量都高，所述第5铟锡氧化物层的氧化锡含量比第4铟锡氧化物层的氧化锡含量和第6铟锡氧化物层的氧化锡含量都高。
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