[发明专利]外延晶片及其制备方法在审
| 申请号： | 201380063457.0 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104838474A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | P·施托克;N·维尔纳;M·福德尔韦斯特纳尔;P·托尔钦斯基;I·亚布隆克 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司;英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/223 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 外延晶片，包括具有第一侧面和第二侧面的硅基板晶片，以及沉积在硅基板晶片的第一侧面上的硅外延层，以及任选存在的位于硅外延层顶上的一个或多个额外的外延层，所述硅外延层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮，或者一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮，或所述硅外延层以及所述一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮。所述外延晶片是通过在包含一种或多种硅前驱化合物和一种或多种氮前驱化合物的沉积气体气氛存在的情况下，通过化学气相沉积，在940℃或更低的沉积温度下，沉积硅外延层或一个或多个额外的外延层中的至少一层、或硅外延层以及一个或多个额外的外延层中的至少一层来制备的。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延晶片，其包括具有第一侧面和第二侧面的硅基板晶片，以及沉积在硅基板晶片的第一侧面上的硅外延层，以及任选存在的位于硅外延层顶上的一个或多个额外的外延层，所述硅外延层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮，或所述一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮，或者所述硅外延层以及所述一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×1016个原子/cm3或更高且1×1020个原子/cm3或更低的浓度掺杂有氮。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
