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[发明专利]异质外延晶片和用于制造异质外延晶片的方法-CN201880057884.0有效
发明人： S·B·塔帕;M·福德尔韦斯特纳尔 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种异质外延晶片和一种用于制造异质外延晶片的方法。该异质外延晶片按以下次序包括：具有直径和厚度的硅衬底；AlN成核层；第一应变构建层，其是具有第一平均Al含量z的AlzGa1‑zN层，其中0＜z；第一应变保留块，其包括不少于5个且不超过50个单元的第一序列层，该第一序列层包括AlN层和至少两个AlGaN层，第一应变保留块具有第二平均Al含量y，其中y＞z；第二应变构建层，其是具有第三平均Al含量x的AlxGa1‑xN层，其中0≤x＜y；第二应变保留块，其包括不少于5个且不超过50个单元的第二序列层，该第二序列层包括AlN层和至少一个AlGaN层，该第二应变保留块具有第四平均Al含量w，其中x＜w＜y，和GaN层，其中在AlN成核层和GaN层之间的层形成AlGaN缓冲层。
外延晶片用于制造方法

[发明专利]外延晶片及其制备方法-CN201380063457.0在审
发明人： P·施托克;N·维尔纳;M·福德尔韦斯特纳尔;P·托尔钦斯基;I·亚布隆克 -专利权人：硅电子股份公司;英特尔公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：外延晶片，包括具有第一侧面和第二侧面的硅基板晶片，以及沉积在硅基板晶片的第一侧面上的硅外延层，以及任选存在的位于硅外延层顶上的一个或多个额外的外延层，所述硅外延层以1×10¹⁶个原子/cm³或更高且1×10²⁰个原子/cm³或更低的浓度掺杂有氮，或者一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×10¹⁶个原子/cm³或更高且1×10²⁰个原子/cm³或更低的浓度掺杂有氮，或所述硅外延层以及所述一个或多个额外的外延层中的至少一层以1×10¹⁶个原子/cm³或更高且1×10²⁰个原子/cm³或更低的浓度掺杂有氮。所述外延晶片是通过在包含一种或多种硅前驱化合物和一种或多种氮前驱化合物的沉积气体气氛存在的情况下，通过化学气相沉积，在940℃或更低的沉积温度下，沉积硅外延层或一个或多个额外的外延层中的至少一层、或硅外延层以及一个或多个额外的外延层中的至少一层来制备的。
外延晶片及其制备方法

[发明专利]具有异质外延层的半导体晶片以及制造该晶片的方法-CN200910128964.3有效
发明人： P·施托克;M·福德尔韦斯特纳尔 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体晶片，其包括：具有第一面和第二面的基底；沉积在该基底的第一面上的完全或部分松弛的异质外延层；及沉积在该基底的第二面上的应力补偿层。该晶片是在包括以下步骤的方法中制造的：在沉积温度下在基底的第一面上沉积完全或部分松弛的异质外延层；及在从该沉积温度冷却该晶片之前，在该基底的第二面上提供应力补偿层。
具有外延半导体晶片以及制造方法

[发明专利]具有异质外延层的半导体晶片以及制造该晶片的方法-CN200910004431.4无效
发明人： P·施托克;M·福德尔韦斯特纳尔 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体晶片，其包括：具有第一面和第二面的基底；沉积在该基底的第一面上的完全或部分松弛的异质外延层；及沉积在该基底的第二面上的应力补偿层。该晶片是在包括以下步骤的方法中制造的：在沉积温度下在基底的第一面上沉积完全或部分松弛的异质外延层；及在从该沉积温度冷却该晶片之前，在该基底的第二面上提供应力补偿层。
具有外延半导体晶片以及制造方法