[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件在审
申请号: | 201380056879.5 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN104756014A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 山中司;川本崇司 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/32 | 分类号: | G03F7/32;B65D81/24;G03F7/30;H01L21/027;G03F7/038;G03F7/039 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明可提供一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件,上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液尤其在使用有机系显影液来形成微细化(例如30nm节点以下)图案的负型图案形成方法中,可减少微粒的产生。一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件,上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下,且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下。 | ||
搜索关键词: | 化学 增幅 型抗蚀剂膜 图案 化用 有机 处理 收容 容器 以及 使用 形成 方法 电子元件 制造 | ||
【主权项】:
一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液,其中碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下,且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下。
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