[发明专利]用于制造具有选择性掺杂的背面的光伏电池的方法有效
| 申请号： | 201380056777.3 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104756263B | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | G·斯卡尔德拉;M·克尔曼;E·V·罗戈吉纳;D·波普拉夫斯基;E·泰;G·王 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 朱黎明,江磊 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于制造具有局部扩散的背面的光伏电池的方法，所述方法包括以下步骤(a)提供掺杂的硅基板，所述基板包括面向阳光的正面和背面；(b)在所述正面和所述背面上形成二氧化硅层；(c)以图案形式将含硼掺杂浆料沉积在背面上，所述含硼浆料包含硼化合物和溶剂；(d)以图案形式将含磷掺杂浆料沉积在背面上，所述含磷掺杂浆料包含磷化合物和溶剂；(e)在一定环境中将所述硅基板加热至第一温度并持续第一时间段以便使硼和磷局部扩散到所述硅基板的背面中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 选择性 掺杂 背面 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有局部扩散的背面的光伏电池的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供掺杂的硅基板，所述基板包括面向阳光的正面和背面；(b)在所述正面和所述背面上形成二氧化硅保护层；(c)以图案形式将含硼掺杂浆料沉积在所述背面上，所述含硼浆料包含硼化合物和溶剂；(d)以图案形式将含磷掺杂浆料沉积在所述背面上，所述含磷掺杂浆料包含磷化合物和溶剂；(e)在一定环境中将所述硅基板加热至第一温度并持续第一时间段以便使硼和磷局部扩散到所述硅基板的背面中；(f)从所述硅基板中除去所述二氧化硅保护层；和(g)在所述正面和所述背面两者上形成钝化层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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