[发明专利]使用由载体铜箔支撑的薄铜箔制作封装体的方法有效
申请号: | 201380052312.0 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN104756239B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | S·苏塔德加;A·吴;申铉宗 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 酆迅,董典红 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在一个实施例中,提供一种创建封装体的方法,该方法包括提供初始基底,其中初始基底包括载体箔、功能性铜箔以及在载体箔与功能性铜箔之间的界面释放层;在功能性铜箔上构建铜部分;将芯片附接到第一铜部分;将芯片耦合到第二铜部分;利用模制体密封至少芯片和铜部分;以及去除载体箔和界面释放层。 | ||
搜索关键词: | 使用 载体 铜箔 支撑 制作 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种创建封装体的方法,所述方法包括:提供初始基底,其中所述初始基底包括第一箔,第二箔,以及在所述第一箔与所述第二箔之间的界面释放层,其中所述界面释放层被配置用于允许后续从所述第二箔剥离和释放所述第一箔;在所述第二箔上构建多个铜部分;将芯片附接到所述多个铜部分中的第一铜部分;将所述芯片耦合到所述多个铜部分中的第二铜部分;利用模制体密封至少所述芯片和所述多个铜部分;以及在利用所述模制体密封至少所述芯片和所述多个铜部分之后,从所述封装体去除所述第一箔和所述界面释放层,其中所述第一箔为载体箔,并且所述第二箔为功能性箔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马维尔国际贸易有限公司,未经马维尔国际贸易有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380052312.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于制造具有选择性掺杂的背面的光伏电池的方法
- 下一篇:切割胶带
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造