[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201380048248.9 | 申请日: | 2013-09-17 |
公开(公告)号: | CN104641464B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的一个实施方式,一种用于处理基板的基板处理装置包括具有开放式上部的主腔室,所述主腔室具有在其侧壁内限定的通道,使得基板能够进入/退出;腔室盖,所述腔室盖置于所述主腔室的开放式上部上,并形成与外部阻隔开的处理空间,用于执行处理;承座板,所述承座板具有含开放式下部的内部空间,并且所述基板置于所述承座板上;以及主加热器,所述主加热器可旋转地置于所述内部空间中,并与所述承座板间隔开,用于加热所述承座板。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,在所述基板处理装置中执行关于基板的处理,所述基板处理装置包括:具有开放式上部的主腔室,所述主腔室具有在其侧壁内限定的通道,使得基板能够进入;腔室盖,所述腔室盖置于所述主腔室的开放式上部上,以提供相对外部密封的处理空间,在所述处理空间中执行处理;承座板,所述基板置于所述承座板上,所述承座板具有含开放式下部的内部空间;以及主加热器,所述主加热器可旋转地置于所述内部空间中,所述主加热器与所述承座板间隔开,以加热所述承座板,其中,所述基板处理装置还包括支撑构件,所述支撑构件置于所述承座板的开放式下部,以避免所述内部空间中的热扩散到外部,其中,所述基板处理装置还包括旋转轴,所述旋转轴置于所述主加热器的下部以支撑所述主加热器,所述旋转轴能够与所述主加热器一起旋转,其中,所述主加热器包括:加热板,所述加热板置于所述旋转轴的上部,所述加热板插入到所述内部空间中;以及加热线,所述加热线置于所述加热板内,以加热所述承座板,其中,所述主腔室具有开放式下部,并且所述基板处理装置还包括泵吸本体,所述泵吸本体置于所述主腔室的开放式下部,以提供内部安装空间,所述泵吸本体沿着所述旋转轴的周边设置,其中,所述主加热器与所述旋转轴置于所述内部安装空间内,并且所述基板处理装置包括:多个固定器,所述多个固定器支撑放置在其上的所述基板,所述固定器能够在上升位置与下降位置之间移动;升降轴,所述升降轴连接至所述固定器,以升降所述固定器;排放孔,所述排放孔沿着所述旋转轴的周边限定在所述泵吸本体内,以将处理气体排放至外部;以及升降孔,所述升降轴插入到所述升降孔中,所述升降孔限定在所述排放孔的外部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380048248.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造