[发明专利]借助高沸点氯代硅烷或者含氯代硅烷的混合物制备氯代硅烷的方法有效
| 申请号： | 201380047799.3 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104640810B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | E.米;H.劳莱德 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 周铁,林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通式H4‑nSiCln的氯代硅烷的制备方法，其中n=1、2、3和/或4，所述方法的特征在于，在反应器中，硅在硅床中与Cl2、HCl、或者Cl2和HCl、和至少一种含有硅的化合物反应。 | ||
| 搜索关键词： | 借助 沸点 硅烷 或者 含氯代 混合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备通式H4‑nSiCln的氯代硅烷的方法，其中n=1、2、3或4，所述方法的特征在于，在至少一个含有硅的反应器中，使硅在硅床中与Cl2、HCl、或者Cl2和HCl、和至少一种含有硅的化合物反应，其中将所述反应器设定为在反应器中心处的温度为800℃至1300℃，并且使用固定床反应器和/或移动床反应器，并且Si在硅床中与混合物G形式的至少一种含有硅的化合物反应，G含有具有至少2个Si‑原子的多硅烷，多氯硅烷，含氯的多硅氧烷，不含氯的多硅氧烷，HSiCl3，(CH3)HSiCl2，(CH3)H2SiCl，CH3SiCl3，(CH3)2SiCl2，(CH3)3SiCl，CH3SiH3，(CH3)2SiH2，(CH3)3SiH，和/或SiCl4，并且Cl2、HCl、或者Cl2和HCl在固定床反应器和/或移动床反应器的格栅的下方流入硅床，并且混合物G在所述格栅的下方或者上方流入。
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