[发明专利]参考单元修复方案在审
| 申请号： | 201380047396.9 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN104620323A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | J·P·金;T·金;S·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在磁性随机存取存储器(MRAM)中，众多参考位单元阵列通过将它们相应的位线耦合至合并参考节点而被耦合在一起。耦合在相应参考位线与合并参考节点之间的传输门电路系统被配置成用于选择性地将一条或多条参考位线耦合至合并参考节点或者将一条或多条参考位线从合并参考节点解耦合。传输门电路系统可通过对耦合至该传输门电路系统的一次可编程器件进行编程来控制。该一次可编程器件可被编程为将有缺陷的参考位单元阵列从合并参考节点解耦合或者在各冗余的参考位单元阵列之间选择以用于耦合至参考节点。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 单元 修复 方案 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：第一参考单元，其包括耦合至第一参考位线的第一参考磁性隧道结(MTJ)；第二参考单元，其包括耦合至第二参考位线的第二参考MTJ；字线，其耦合至所述第一参考单元并耦合至所述第二参考单元；以及可编程开关电路系统，其被配置成选择性地将所述第一参考位线从合并参考节点解耦合。
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