[发明专利]用于制造具有反射电极的光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201380045537.3 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104603962B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·普福伊费尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括下述步骤提供半导体层序列(10)；将金属的镜层(21)设置在半导体层序列(10)的上侧上；将镜保护层(3)至少设置在镜层的露出的侧面(21c)上；部分地移除半导体层序列(10)，其中镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23)，所述开口沿着横向方向由镜保护层(3)围边，至少部分地移除半导体层序列(10)在镜层(21)的开口(23)的区域中进行，以自调节的方式将镜保护层(3)设置在镜层(21)的露出的侧面(21c)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 反射 电极 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括下述步骤：‑提供半导体层序列(10)；‑将金属的镜层(21)设置在所述半导体层序列(10)的上侧上；‑将镜保护层(3)至少设置在所述镜层的露出的侧面(21c)上；‑部分地移除所述半导体层序列(10)，其中‑所述镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23)，所述开口沿着横向方向由所述镜保护层(3)围边，‑在所述镜层(21)的所述开口(23)的区域中进行上述至少部分地移除所述半导体层序列(10)，‑以自调节的方式进行上述将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上，其中‑为了自调节地将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上，实施下述方法步骤：‑将所述镜保护层(3)一致地沉积在所述镜层(21)的背离所述半导体层序列(10)的上侧和所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上，和‑在部分地移除所述半导体层序列(10)之前，将所述镜保护层(3)施加到所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上。
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