[发明专利]用于ZnO和掺杂ZnO薄膜成核的种子层及种子层沉积方法无效
| 申请号： | 201380044150.6 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104582953A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 丁国文;M·哈桑;M·H·黎;孙志文 | 申请（专利权）人： | 分子间公司 |
| 主分类号： | B32B17/06 | 分类号： | B32B17/06 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 梁栋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过采用包括金属元素的种子层，包括纯氧化锌和掺杂氧化锌的氧化锌层能够以优化的晶体取向和改进的导电性沉积。通过选定在低温下容易在玻璃衬底上结晶，并且具有优化晶体取向和尺寸的金属元素，能够形成具有优化晶体取向和大粒度的氧化锌层，从而能够优化透明传导氧化层堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 zno 掺杂 薄膜 成核 种子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种形成制品的方法，包括：提供透明衬底；在所述透明衬底上形成第一层，其中所述第一层包括具有六方密堆积(hcp)和面心立方(fcc)(111)结构的金属；在所述第一层上形成第二层，其中所述第二层包括氧化锌或掺杂氧化锌；在所述第二层上形成第三层，其中所述第三层包括银；其中在形成所述第二层期间或之后，所述第一层的至少一部分被转换为金属氧化物。
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