[发明专利]以低温退火进行的电化学装置制造工艺无效
| 申请号： | 201380039747.1 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN104508175A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 宋道英;冲·蒋;秉-圣·利奥·郭;丹尼尔·塞韦林 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造电化学装置的方法可包括：在沉积腔室中利用物理气相沉积(PVD)工艺，在基板之上沉积电极层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度为约室温与约450℃之间或更高；和退火处理电极层，使电极层结晶，其中退火温度低于或等于约450℃。另外，腔室压力可高达100mTorr。此外，沉积后退火温度可低于或等于400℃。电化学装置可为具有LiCo02电极的薄膜电池，且PVD工艺可为溅射沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 退火 进行 电化学 装置 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种制造电化学装置的方法，所述方法包括：在沉积腔室中利用溅射沉积工艺，在基板之上沉积LiCoO2层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度高于约22℃，且溅射靶材包括LiCoO2；和退火处理所述LiCoO2层，其中退火温度低于或等于约450℃，并且其中经退火处理的所述LiCoO2层的特征在于，利用拉曼光谱在约593cm‑1处、峰FWHM小于或等于约12cm‑1的A1g模式峰。
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