[发明专利]摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

摘要

摄像装置(10)的制造方法包括多个受光部(31)形成于第1主面(30SA)，切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序；经检查判断为合格品的摄像芯片(30)的第1主面(30SA)借助透明的粘接层(41)粘接于大小和形状中的至少任意一项与上述摄像芯片基板(30W)的大小和形状不同的玻璃晶圆(20W)而制作接合晶圆(40W)的工序；利用密封构件(42)将粘接于接合晶圆(40W)的多个摄像芯片(30)之间填充的工序；加工工序，其包括将接合晶圆(40W)自第2主面(30SB)侧加工而将接合晶圆(30W)的厚度减薄，并使加工面平坦化的工序，以及形成与电极焊盘(32)连接的贯穿布线(33)的工序；在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序；以及切断接合晶圆(40W)而单片化的工序。

主权项

一种摄像装置的制造方法，其特征在于，该摄像装置的制造方法包括：切断摄像芯片基板而制作多个摄像芯片的工序，该摄像芯片基板具有第1主面和与上述第1主面相对的第2主面，多个受光部形成于上述第1主面，在各个受光部的周围形成有电极焊盘；经检查判断为合格品的摄像芯片的上述第1主面借助由透明的树脂形成的粘接层粘接于大小和形状中的至少任意一项与上述摄像芯片基板的大小和形状不同的透明的支承基板而制作接合晶圆的工序；利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述多个摄像芯片之间填充的工序；加工工序，其包括：将上述接合晶圆自上述多个摄像芯片的第2主面侧加工而将上述接合晶圆的厚度减薄，并使加工面平坦化的工序，以及形成与上述电极焊盘连接的贯穿布线的工序；在上述第2主面上形成借助上述贯穿布线与上述电极焊盘连接的外部连接电极的工序；以及切断上述接合晶圆而单片化的工序，上述密封构件的树脂与上述粘接层的上述透明的树脂相同，并且在作为绝缘体的上述密封构件的上述树脂中混合有由非导电性的颜料形成的遮光材料。