[发明专利]具有硅的熔融材料的容纳无效
| 申请号： | 201380025674.0 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104321277A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 阿丽莎·阿里比;扎迦利·鲍尔;杰里米·毕比;马修·加夫;瓦斯根·莎玛米安;兰德尔·西格尔;约瑟夫·苏茨曼;詹姆斯·扬格 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 牟静芳;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了硅共晶合金组合物和制备所述硅共晶合金组合物的方法。在一种途径中，方法可包括使用玻璃碳容器以限制所述共晶合金熔体的污染。在一种可供选择的途径中，方法可包括使用具有铝的容器。所述容器中的铝可提供掺入所述硅共晶合金中的铝。本发明还公开了通过此类方法制备的硅共晶主体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 熔融 材料 容纳 | ||
【主权项】：
一种制备硅共晶合金主体的方法，所述方法包括：在容器中加热混合物从而形成共晶合金熔体，其中所述混合物包括硅和金属元素Ma，其中所述容器与所述共晶合金熔体接触的部分包括玻璃碳；以及从所述共晶合金熔体移除热以使所述共晶合金熔体凝固，从而形成具有共晶聚集体的硅共晶合金主体，所述共晶聚集体包括含有硅的第一相和含有金属元素Ma的第二相，其中所述第二相具有式MaSi2。
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