[发明专利]用于具有较高光提取率的LED的结构化基底有效
| 申请号： | 201380012487.9 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104160518B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 约翰·戴斯莱斯;菲利普·吉莱;帕斯卡·昆纳德 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会;SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/46;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 归莹,张颖玲 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于对入射光线进行反向散射的器件，包括主基底(20)和结构化层(10)，所述结构化层包括第一面(12)，所述第一面与主基底(20)的正面(22)接触；第二平整面(14)，所述第二平整面与第一面(12)平行；第一材料A和第二材料B，所述第一材料A和第二材料B在混合平面内形成交替表面(16)，所述交替表面中的至少一个的尺寸介于300nm与800nm之间，所述混合平面位于所述结构化层的第一面和第二面之间，所述第一材料和第二材料的光学指数不同，所述结构化层(10)覆盖有特定层(30)，所述特定层由不同于所述结构化层的材料A和材料B的材料C制成并且为晶体和半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 较高光 提取 led 结构 基底 | ||
【主权项】：
一种用于对入射光线进行反向散射的器件，包括主基底(20)和称为结构化层的层(10)，所述结构化层包括：第一面(12)，所述第一面与所述主基底(20)的正面(22)接触；第二平整面(14)，所述第二平整面与所述第一面(12)平行或者大体上平行；第一材料A和第二材料B，所述第一材料A和所述第二材料B在被称为混合平面的平面内形成交替表面(16)，所述交替表面形成随机的结构化图案，且所述交替表面的尺寸介于350nm与600nm之间或者约为所述入射光线沿所述混合平面的波长，其中，所述混合平面位于所述结构化层的所述第一面和所述第二平整面之间，其中，所述第一材料A和所述第二材料B的折射率不同，其中，所述结构化层(10)被称为特定层的层(30)覆盖，所述特定层由不同于所述结构化层的所述第一材料A和所述第二材料B的材料C制成，其中，所述特定层为晶体且为半导体，并且具有小于1μm的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会;SOITEC公司，未经原子能和替代能源委员会;SOITEC公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380012487.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
