[实用新型]一种基于场效应管的新型H桥电路有效

专利信息
申请号: 201320881422.5 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN203708158U 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 刘卫;李跃飞;侯小毛 申请(专利权)人: 湖南信息科学职业学院
主分类号: H02P7/28 分类号: H02P7/28
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 黄美成
地址: 410151 湖南省长沙市长沙经*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种基于场效应管的新型H桥电路,包括P沟道场效应管Q1和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4;Q1和Q2构成左桥臂,Q3和Q4构成右桥臂;Q1和Q3的S极均连接到电源正端;Q1和Q2的D极对接,Q3和Q4的D极对接;Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地;Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端;Q2的G极通过第一电容(C1)接地;Q4的G极通过第二电容(C2)接地。该基于场效应管的新型H桥电路设计巧妙,能有效防止场效应管损坏,工作时可靠性高。
搜索关键词: 一种 基于 场效应 新型 电路
【主权项】:
一种基于场效应管的新型H桥电路,包括P沟道场效应管Q1和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4;Q1和Q2构成左桥臂,Q3和Q4构成右桥臂;Q1和Q3的S极均连接到电源正端;Q1和Q2的D极对接,Q3和Q4的D极对接;Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地;Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端;其特征在于:Q2的G极通过第一电容接地;Q4的G极通过第二电容接地。
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