[实用新型]一种基于场效应管的新型H桥电路有效
申请号: | 201320881422.5 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN203708158U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 刘卫;李跃飞;侯小毛 | 申请(专利权)人: | 湖南信息科学职业学院 |
主分类号: | H02P7/28 | 分类号: | H02P7/28 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 黄美成 |
地址: | 410151 湖南省长沙市长沙经*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于场效应管的新型H桥电路,包括P沟道场效应管Q1和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4;Q1和Q2构成左桥臂,Q3和Q4构成右桥臂;Q1和Q3的S极均连接到电源正端;Q1和Q2的D极对接,Q3和Q4的D极对接;Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地;Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端;Q2的G极通过第一电容(C1)接地;Q4的G极通过第二电容(C2)接地。该基于场效应管的新型H桥电路设计巧妙,能有效防止场效应管损坏,工作时可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 场效应 新型 电路 | ||
【主权项】:
一种基于场效应管的新型H桥电路,包括P沟道场效应管Q1和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4;Q1和Q2构成左桥臂,Q3和Q4构成右桥臂;Q1和Q3的S极均连接到电源正端;Q1和Q2的D极对接,Q3和Q4的D极对接;Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地;Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端;其特征在于:Q2的G极通过第一电容接地;Q4的G极通过第二电容接地。
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