[实用新型]磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201320833018.0 申请日: 2013-12-17
公开(公告)号: CN203923364U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 董斌;赵欣凯;张立星;付艳强;车奉周;贠向南;金相起;李正勋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;吕品
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型的磁控溅射设备,包括用于容纳靶材以及工件的溅射腔室,溅射腔室的内部设置有防着板,溅射腔室内设置有用于照射靶材以及防着板以使靶材以及防着板的表面发生光致脱附的光源。在本实用新型的磁控溅射设备的工作过程中,在真空提升过程中,靶材以及防着板的表面发生光致脱附,即光源的光子能量达到跨越势垒的高度,靶材以及防着板的表面气团的逸出,由此减少粒子在靶材以及防着板上吸附,溅射腔室内的真空度迅速提升,生产效率大幅提高。
搜索关键词: 磁控溅射 设备
【主权项】:
一种磁控溅射设备,包括用于容纳靶材以及工件的溅射腔室,所述溅射腔室的内部设置有防着板,其特征在于,所述溅射腔室内设置有用于照射所述靶材以及所述防着板以使所述靶材以及所述防着板的表面发生光致脱附的光源,所述光源的光子能量达到跨越势垒的高度,以使靶材以及防着板的表面气团的逸出,由此减少粒子在靶材以及防着板上吸附。 
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