[实用新型]测试结构有效
| 申请号： | 201320804312.9 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203631541U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种测试结构，包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。在多晶硅的表面形成多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，由于所述硅化金属物形成于硅化金属阻挡物之间，即将所述硅化金属阻挡物分开，通过测量所述硅化金属物的电阻值便能够监测到硅化金属阻挡物是否存在微小的偏差，从而提高监测的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。
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