[实用新型]一种制造晶硅太阳能电池的湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201320690263.0 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN203536374U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 权微娟;韩玮智;牛新伟;仇展炜 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种制备晶硅太阳能电池的湿法刻蚀装置，所述装置依次包括相邻设置的刻蚀槽(1)、第一水洗槽(2)、碱洗槽(3)、第二水洗槽(4)、酸洗槽(5)、第三水洗槽(6)和风干槽(7)；所述第一水洗槽(2)、所述碱洗槽(3)、所述第二水洗槽(4)、所述酸洗槽(5)、所述第三水洗槽(6)和所述风干槽(7)内均设置有硅片输送装置；所述硅片输送装置包括多组上压辊轮(20)和运行辊轮(10)；所述上压辊轮上套有齿轮状橡胶圈。采用本实用新型提供的湿法刻蚀装置可以有效降低叠片时化学品残留在硅片上的概率，且PECVD后出现（小白点）外观问题的硅片数量可有效降低90%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 太阳能电池 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种制备晶硅太阳能电池的湿法刻蚀装置，所述装置依次包括相邻设置的刻蚀槽（1）、第一水洗槽（2）、碱洗槽（3）、第二水洗槽（4）、酸洗槽（5）、第三水洗槽（6）和风干槽（7）；其特征在于，所述第一水洗槽（2）、所述碱洗槽（3）、所述第二水洗槽（4）、所述酸洗槽（5）、所述第三水洗槽（6）和所述风干槽（7）内均设置有硅片输送装置；所述硅片输送装置包括多组上压辊轮（20）和运行辊轮（10）；所述上压辊轮上套有齿轮状橡胶圈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
