[实用新型]一种深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201320641350.7 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN203596360U | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;方妍妍;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430075 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种深紫外发光二极管。所述发光二极管，包括：衬底、第一n型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、第二n型AlGaN层、p型端电极、n型电极、倒装基板；第一n型AlGaN层具有第一表面和第二表面，AlGaN/AlGaN多量子阱层形成在第一表面上，n型电极形成在第二表面上；p型端电极形成在第二n型AlGaN层上；倒装基板通过焊料分别与p型端电极和n型电极焊接。本实用新型由于器件表面隧穿结的形成，p型端电极采用与n型材料形成良好欧姆接触的且具有高反射率的金属材料，提高紫外发光二极管芯片的出光效率，从而提高整体器件的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； 第一n型AlGaN层，形成在所述衬底上，具有第一表面和第二表面； AlGaN/AlGaN多量子阱层，形成在所述第一n型AlGaN层的第一表面上； p型AlGaN电子阻挡层，形成在所述AlGaN/AlGaN多量子阱层上； 第二n型AlGaN层，形成在所述p型AlGaN电子阻挡层上，所述第二n型AlGaN层与所述p型AlGaN电子阻挡层形成隧穿结； p型端电极，形成在所述第二n型AlGaN层上，所述p型端电极为具有高反射率的金属材料，与所述第二n型AlGaN层形成欧姆接触； n型电极，形成在所述第一n型AlGaN层的第二表面上； 倒装基板，通过焊料分别与所述p型端电极和所述n型电极焊接。
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