[实用新型]一种LED外延片倒置MOCVD反应炉

摘要

一种LED外延片倒置MOCVD反应炉属于半导体外延生长设备领域。包括炉体、炉盖通过插销装置固定的基盘承载部，排气整流罩固定在炉底且通过外置升降汽缸与源料导入管同时进行升降。本技术方案中，衬底片倒挂式放置，基盘、卫星盘围可实现同时旋转，基盘可整体利用机械臂搬送。此设计使衬底外延生长面向下，解决了因此问题导致良率过低的问题；基盘旋转带动卫星盘围绕基盘轴心旋转，同时，卫星盘也围绕其轴心自转，消除了气流场的不均匀性和热场的不均匀性，使外延生长更加均匀；基盘利用机械臂搬送，相比较频繁开炉盖、手动更换衬底工序，节省了大量时间、提高了生产效率，以及降低了反应腔室与外界接触频率，延长维护保养时限，节约成本。

主权项

一种LED外延片倒置MOCVD反应炉，包括炉体（1）、固定在炉体顶部的炉盖（2），其特征在于，在炉体侧壁上开有过渡口（25），过渡口上固定有插板阀（26），炉盖通过插销装置（3）固定圆环状的且截面形状为L形状的基盘承载部（13），炉体内部旋转轴（8）通过磁流体（7）连接有基盘（16），源料气体导入管（21）、石英板（17）、排气整流罩（23）固定在炉底（18）；所述的基盘承载部（13）上依次安装有基盘滑轨环（28）、基盘（16）、固定式齿环（14），基盘上依次安装有卫星盘滑轨环（27）、卫星盘（15）、均热板（29），多个卫星盘（15）上端边缘为齿状结构，与固定式齿环（14）啮合，基盘滑轨环（27）、卫星盘滑轨环（28）是由上部的圆环状的且截面形状为凸字形状的滑轨、下部的圆环状的且截面形状为凹字形状的滑轨及中间的滚珠组成，外延衬底片（12）生长面向下放置在卫星盘（15）凹槽中后将均热板（29）盖上。