[实用新型]一种LED外延片倒置MOCVD反应炉有效
| 申请号： | 201320587740.0 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN203530483U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 樊志滨;陈依新;王勇飞 | 申请（专利权）人： | 北京思捷爱普半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 101312 北京市顺义区天竺综合*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 倒置 mocvd 反应炉 | ||
1.一种LED外延片倒置MOCVD反应炉，包括炉体（1）、固定在炉体顶部的炉盖（2），其特征在于，在炉体侧壁上开有过渡口（25），过渡口上固定有插板阀（26），炉盖通过插销装置（3）固定圆环状的且截面形状为L形状的基盘承载部（13），炉体内部旋转轴（8）通过磁流体（7）连接有基盘（16），源料气体导入管（21）、石英板（17）、排气整流罩（23）固定在炉底（18）；
所述的基盘承载部（13）上依次安装有基盘滑轨环（28）、基盘（16）、固定式齿环（14），基盘上依次安装有卫星盘滑轨环（27）、卫星盘（15）、均热板（29），多个卫星盘（15）上端边缘为齿状结构，与固定式齿环（14）啮合，基盘滑轨环（27）、卫星盘滑轨环（28）是由上部的圆环状的且截面形状为凸字形状的滑轨、下部的圆环状的且截面形状为凹字形状的滑轨及中间的滚珠组成，外延衬底片（12）生长面向下放置在卫星盘（15）凹槽中后将均热板（29）盖上。
2.根据权利要求1所述的LED外延片倒置MOCVD反应炉，其特征在于，所述的基盘承载部（13）上依次安装有基盘滑轨环（28）、基盘（16）、固定式齿环（14），基盘上依次安装有卫星盘滑轨环（27）、卫星盘（15）、均热板（29），此部分整体由机械臂（30）托举，搬入、搬出反应炉腔室。
3.根据权利要求1所述的LED外延片倒置MOCVD反应炉，其特征在于，炉底（18）与炉体（1）由波纹管（24）相连，通过安装外置气缸控制炉底（18）整体升降。
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