[实用新型]多联半导体晶块有效
申请号: | 201320393106.3 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN203325900U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 和俊莉;王丹;张文涛;陈磊;钱俊有;蔡水占;刘栓红 | 申请(专利权)人: | 河南鸿昌电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/03 | 分类号: | H01L25/03;H01L35/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 461500 河南省许昌*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型涉及电子技术领域,是多联半导体晶块,其特征是:它包括多个致冷晶片个体,后一个致冷晶片个体的电流进入导线就是前一个致冷晶片的电流流出导线,这样的多联半导体晶块具有致冷效率更高、效果更好的优点。 | ||
搜索关键词: | 半导体 | ||
【主权项】:
多联半导体晶块,其特征是:它包括多个致冷晶片个体,后一个致冷晶片个体的电流进入导线就是前一个致冷晶片的电流流出导线。
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