[实用新型]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201320377482.3 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN203536463U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张雄;杨洪权;许洁;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管，氮化镓基发光二极管的外延层结构由下至上依次为：蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、复合电流扩散层、铟镓氮-氮化镓多量子阱有源发光层、镁掺杂的p型铝镓氮电子阻挡层、镁掺杂的p型氮化镓欧姆接触层和透明导电层；复合电流扩散层由轻度硅掺杂的n型铟镓氮子层和氮化镓子层组成。本实用新型提供的氮化镓基发光二极管及其外延生长方法，采用了复合电流扩散层，能够使得外延片的晶体质量得到显著改善，从而有效地提高氮化镓基发光二极管的抗静电能力；氮化镓基发光二极管的综合性能优异，即不仅拥有高于99%的ESD良率，而且具有极低的正向工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：该氮化镓基发光二极管的外延层结构由下至上依次为：蓝宝石衬底（101）、氮化镓缓冲层（102）、非故意掺杂氮化镓层（103）、硅掺杂的n型氮化镓层（104）、复合电流扩散层（106）、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层（107）、镁掺杂的p型铝镓氮电子阻挡层（108）、镁掺杂的p型氮化镓欧姆接触层（109）和透明导电层（110）；所述复合电流扩散层（106）由硅掺杂的n型铟镓氮子层和氮化镓子层组成；所述n型氮化镓层（104）为一阶台阶结构，其高层台阶面与复合电流扩散层（106）接触、低层台阶面上设置有n型电极（105），所述透明导电层（110）上设置有p型电极（111）。
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