[实用新型]一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池有效
申请号: | 201320368509.2 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN203351632U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;李粉莉;盛国浩 | 申请(专利权)人: | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/077 | 分类号: | H01L31/077;H01L31/0352;H01L31/02 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及光伏发电技术领域,特别涉及一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池;包括由上到下依次层叠的受光面电极、受光面透明导电层、P型非晶硅层、受光面本征非晶硅层、N型晶体硅层、背光面本征非晶硅层、N型重掺杂非晶硅层、背光面透明导电层、背光面电极,所述P型非晶硅层、所述受光面本征非晶硅层与所述N型晶体硅层形成太阳能电池器件的正面异质PN结,所述N型晶体硅层、所述背光面本征非晶硅层与所述N型重掺杂非晶硅层形成太阳能电池器件的背面电场层;所述薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池具有光电转换效率高的优点,由于本实用新型具有上述的特点和优点,为此可以应用到太阳能电池等产品中。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 晶体 硅异质结 双面 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池,其特征在于,包括由上到下依次层叠的受光面电极、受光面透明导电层、P型非晶硅层、受光面本征非晶硅层、N型晶体硅层、背光面本征非晶硅层、N型重掺杂非晶硅层、背光面透明导电层、背光面电极,所述P型非晶硅层、所述受光面本征非晶硅层与所述N型晶体硅层形成太阳能电池器件的正面异质PN结,所述N型晶体硅层、所述背光面本征非晶硅层与所述N型重掺杂非晶硅层形成太阳能电池器件的背面电场层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市拓日新能源科技股份有限公司,未经深圳市拓日新能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320368509.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种密封接线端子板
- 下一篇:一种用于半密封压缩机的接线板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的