[实用新型]LED倒装芯片的N电极连接结构有效
| 申请号： | 201320219440.7 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN203277487U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523082 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及LED倒装芯片，具体涉及其N电极连接结构。本实用新型的目的是让LED倒装芯片获得较好的发光效果，芯片上N接触层的电流分布均匀，且N接触层制作和焊接方便，为此给出LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。N接触层是蒸镀或溅射而成的。 | ||
| 搜索关键词： | led 倒装 芯片 电极 连接 结构 | ||
【主权项】：
LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。
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