[实用新型]一种快速制备晶体外延薄膜的装置有效
| 申请号： | 201320117675.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN203174221U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 季泳;张龚磊 | 申请（专利权）人： | 贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 |
| 主分类号： | C30B25/06 | 分类号： | C30B25/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550004 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种快速制备晶体外延薄膜的装置，它包括真空室、抽真空系统、反应磁控溅射外延装置以及旋转式薄膜生长装置，其中，反应磁控溅射外延装置由阴极部、原子源阳极、气体导向部以及电源组成，阴极部包括至少一个阴极、位于阴极上的金属或半导体靶材以及磁控回路。本实用新型的有益效果是：大大缩减了外延片的制备时间，同时达到在低成本下快速获得高质量和低缺陷的外延薄膜，同时使用了价格较低的原材料、设备，提高了生长速率，减少了外延片的制造周期，直接提高了外延片的产量，降低外延片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 晶体 外延 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
一种快速制备晶体外延薄膜的装置，其特征在于：它包括一个良好接地的真空室（1）、与真空室（1）连接的抽真空系统（2）、安装在真空室（1）内下方的反应磁控溅射外延装置（3）以及旋转式薄膜生长装置（4），其中，反应磁控溅射外延装置（3）由阴极部、原子源阳极（34）、气体导向部以及电源（35）组成，阴极部包括至少一个阴极（31）、位于阴极（31）上的金属或半导体靶材（32）以及磁控回路（33），气体导向部由安装在阴极（31）周围的溅射气体导向器（36）和安装在原子源阳极（34）上的反应气体导向器（37）组成，阴极（31）和原子源阳极（34）与电源（35）连通，旋转式薄膜生长装置（4）由安装在真空室（1）顶部的转动部件（41）、与转动部件（41）相连的耐高温工装（42）以及附着在耐高温工装（42）上的基板（43）组成，真空室（1）中设置有高温加热区（5），基板（43）的一端置入高温加热区（5）中。
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